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케임브리지 HyperLight, AI 인터커넥트용 400G-per-lane 광칩 공개

작성자: Daniel Lee · 03/17/26

케임브리지의 포토닉스 기업 HyperLight가 17일 400G-per-lane 박막 리튬 나이오베이트(TFLN) 광집적회로(PIC)를 공개했다. 회사는 이번 제품군이 차세대 AI 네트워킹 인프라를 겨냥한 것으로, 자사의 TFLN 칩렛 플랫폼을 기반으로 개발됐다고 밝혔다.

발표에 따르면 새 PIC 제품군은 낮은 삽입 손실, 낮은 구동 전압, 높은 전기광학 대역폭을 특징으로 한다. HyperLight는 이를 통해 400G-per-lane 광링크에서 요구되는 대역폭과 신호 무결성, 전력 효율을 함께 겨냥했다고 설명했다.

회사는 400G-per-lane 전환이 향후 AI 인프라의 인터커넥트 대역폭을 높이고 시스템 밀도를 끌어올리는 단계라고 밝혔다. 또 TFLN 소자가 높은 변조 효율과 매우 낮은 광손실을 바탕으로 단일 또는 듀얼 레이저 기반 송신기 구조를 지원할 수 있으며, 확장 가능한 생산을 염두에 둔 TFLN 칩렛 플랫폼에서 제조된다고 설명했다.

Mian Zhang HyperLight CEO는 “400G-per-lane은 TFLN의 장점이 분명해지는 사례”라며 “대역폭 측면에서 여러 기술의 한계를 밀어붙이는 구간에서도 TFLN은 낮은 구동 전압을 유지하면서 충분한 대역폭 여유를 제공한다”고 말했다. 그는 이어 “이는 제조성과 모듈 전력 측면에도 영향을 준다”고 덧붙였다.

Broadcom도 이번 발표에서 자사 DSP 플랫폼과의 조합 가능성을 언급했다. Vijay Janapaty Broadcom 물리계층 제품사업부 부사장 겸 총괄은 HyperLight의 고대역폭 TFLN 송신 PIC와 Broadcom의 Taurus DSP 플랫폼 조합이 차세대 광인터커넥트에서 신호 무결성과 에너지 효율을 높일 수 있다고 말했다.

광트랜시버 업체 Eoptolink 역시 외부 드라이버 필요 축소와 레이저 수 감소, 모듈 통합 단순화 가능성을 짚었다. Richard Huang Eoptolink CEO는 HyperLight의 TFLN PIC가 400G-per-lane 광트랜시버의 고성능·고효율 구현에 역할을 할 수 있으며, 전력 효율과 비용, 신뢰성 측면의 개선 가능성을 언급했다.

이번 공개는 AI 데이터센터용 광연결 부품 경쟁이 400G-per-lane 구간으로 옮겨가고 있음을 보여주는 사례로 읽힌다. 다만 이번 발표에서 확인되는 범위는 HyperLight의 제품 공개와 플랫폼 기반 설명, 그리고 Broadcom·Eoptolink의 인용 발언까지다. 실제 고객 채택이나 대규모 상용화 여부는 이후 제품 검증과 공급망 협력, 고객 적용 과정에서 추가로 확인될 사안이다.


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